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IRL6342TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 9.9 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
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16,151 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.62000 $0.62
10 0.53100 $5.31
25 0.49560 $12.39
100 0.36820 $36.82
250 0.34984 $87.46
500 0.28750 $143.75
1,000 0.23369 $233.69
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRL6342TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 16,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.21313
  • Digi-Reel®  : IRL6342TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16,151 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRL6342TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRL6342TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRL6342TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 9.9 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14.6mOhm a 9.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1025pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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