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IRL2203NPBF Canal N Orificio pasante 30V 116 A (Tc) 180 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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1 1.68000 $1.68
50 1.34440 $67.22
100 1.17640 $117.64
500 0.91228 $456.14
1,000 0.72023 $720.23

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL2203NPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRL2203NPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 30V 116 A (Tc) 180 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 116 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3290pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRL2203NPBF
SP001573688

20:34:29 12/15/2018