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IRFZ44ZLPBF Canal N Orificio pasante 55V 51 A (Tc) 80 W (Tc) TO-262
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1 2.05000 $2.05
10 1.85600 $18.56
100 1.49120 $149.12
500 1.15982 $579.91
1,000 0.96099 $960.99
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFZ44ZLPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFZ44ZLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 51 A (Tc) 80 W (Tc) TO-262

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFZ44Z(S,L)PbF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 51 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.9 mOhm a 31 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1420pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 80 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFZ44ZLPBF
SP001571852

19:24:39 12/10/2018