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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFZ44NLPBF-ND
Cantidad disponible 6,417
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFZ44NLPBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 49 A (Tc) 3.8 W (Ta), 94 W (Tc) TO-262

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 49 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17.5 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1470pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 94 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFZ44NLPBF
SP001557836

13:46:41 6/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.75000 $1.75
10 1.54600 $15.46
100 1.22220 $122.22
500 0.94786 $473.93
1,000 0.74831 $748.31

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