IRFU9024NPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	IRFU9024NPBF-ND
Cantidad disponible	6,286 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFU9024NPBF
Descripción	MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 55V 11 A (Tc) 38 W (Tc) IPAK (TO-251)

Documentos y medios

Hojas de datos	IRFR9024NPbF, IRFU9024NPbF
Otros documentos relacionados	Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado	Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN	Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Embalaje de PCN	Package Drawing Update 19/Aug/2015 Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Modelos de simulación	IRFR9024NTRPBF Saber Model IRFR9024NTRPBF Spice Model
Modelos EDA / CAD	Descargar de Ultra Librarian

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Empaquetado	Tubo
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	38 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	175 mOhm a 6.6 A, 10 V
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA