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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU13N20DPBF-ND
Cantidad disponible 5,900
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU13N20DPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 13 A (Tc) 110 W (Tc) IPAK (TO-251)

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 235 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 830pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres *IRFU13N20DPBF
SP001573640

04:48:54 6/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.46000 $1.46
10 1.29200 $12.92
100 1.02080 $102.08
500 0.79162 $395.81
1,000 0.62497 $624.97

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