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IRFU13N20DPBF Canal N Orificio pasante 200V 13 A (Tc) 110 W (Tc) IPAK (TO-251)
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10 1.23500 $12.35
100 0.97640 $97.64
500 0.75720 $378.60
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU13N20DPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFU13N20DPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 13 A (Tc) 110 W (Tc) IPAK (TO-251)

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 235 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 830pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres *IRFU13N20DPBF
SP001573640

10:50:32 10/20/2018