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IRFSL7437PBF Canal N Orificio pasante 40V 195 A (Tc) 230 W (Tc) TO-262
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Cantidad
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1 2.19000 $2.19
10 1.97900 $19.79
100 1.59020 $159.02
500 1.23682 $618.41
1,000 1.02479 $1,024.79

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL7437PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFSL7437PBF

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Descripción MOSFET N CH 40V 195A TO-262
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 195 A (Tc) 230 W (Tc) TO-262

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7330pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001578458

01:03:44 12/11/2018