USD
Favorito

IRFS7530TRL7PP Canal N Montaje en superficie 60V 240 A (Tc) 375W (Tc) D2PAK (7-conductores)
Precio y compra
2,259 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.98000 $2.98
10 2.67800 $26.78
25 2.53120 $63.28
100 2.02500 $202.50
250 1.91252 $478.13

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS7530TRL7PPTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 1,600 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.80000
  • Digi-Reel®  : IRFS7530TRL7PPDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,259 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFS7530TRL7PP

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS7530TRL7PPCT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IRFS7530TRL7PP
Copiar  
Descripción MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 240 A (Tc) 375W (Tc) D2PAK (7-conductores)

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IRFS7530-7PPbF
Otros documentos relacionados IR Part Numbering System
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Modelos EDA/CAD IRFS7530TRL7PP by SnapEDA
Modelos de simulación IRFS7530-7PPBF Saber Model
Modelos EDA / CAD Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 240 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 354nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12960pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK (7-conductores)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

DRV8302DCAR

IC MOTOR DRIVER 8V-60V 56HTSSOP

Texas Instruments

$5.83000 Detalles

IRFS7530TRLPBF

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

Infineon Technologies

$2.82000 Detalles

FDD6N25TM

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

ON Semiconductor

$0.58000 Detalles

IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Infineon Technologies

$3.15000 Detalles

SN65HVD232DR

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

Texas Instruments

$1.95000 Detalles

PMEG6020ER,115

DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W

Nexperia USA Inc.

$0.35000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRFS7530TRL7PPCT