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IRFS4321TRLPBF Canal N Montaje en superficie 150V 85 A (Tc) 350W (Tc) D2PAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.82000 $2.82
10 2.52900 $25.29
25 2.39080 $59.77
100 1.91250 $191.25
250 1.80624 $451.56
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS4321TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
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  • Digi-Reel®  : IRFS4321TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 604 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS4321TRRPBF-ND
  • Cantidad mínima: 800  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.70000

IRFS4321TRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS4321TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS4321TRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 85 A (Tc) 350W (Tc) D2PAK

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 85 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4460pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRFS4321TRLPBFCT