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IRFS4227TRLPBF Canal N Montaje en superficie 200V 62 A (Tc) 330W (Tc) D2PAK
Precio y compra
925 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.81000 $2.81
10 2.52100 $25.21
25 2.37800 $59.45
100 1.85480 $185.48
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS4227TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.56948
  • Digi-Reel®  : IRFS4227TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 925 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFS4227TRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS4227TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS4227TRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 62 A (Tc) 330W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFS4227PbF, IRFSL4227PbF
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Hoja de datos de HTML IRFS4227PbF, IRFSL4227PbF
Modelos de simulación IRFS4227PBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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