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IRFS4010TRLPBF Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 375W (Tc) D2PAK
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.98000 $2.98
10 2.67800 $26.78
25 2.53120 $63.28
100 2.02500 $202.50
250 1.91252 $478.13
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS4010TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.80000
  • Digi-Reel®  : IRFS4010TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,352 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFS4010TRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS4010TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS4010TRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 375W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFS(L)4010PBF
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Otro PCN Multiple Changes 06/Oct/2014
Modelos de simulación IRFS4010PBF Saber Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7mOhm a 106A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 215nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9575pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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