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IRFS3207ZTRRPBF Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 300W (Tc) D²PAK (TO-263)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.76000 $2.76
10 2.48100 $24.81
25 2.34560 $58.64
100 1.87650 $187.65
250 1.77224 $443.06
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS3207ZTRRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 3,200 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.66800
  • Digi-Reel®  : IRFS3207ZTRRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,177 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFS3207ZTRRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS3207ZTRRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS3207ZTRRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 120 A (Tc) 300W (Tc) D²PAK (TO-263)

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFB3207ZPbF, IRFS(L)3207ZPbF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6920pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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