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IRFS3107TRLPBF Canal N Montaje en superficie 75V 195 A (Tc) 370W (Tc) D2PAK
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715 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.98000 $3.98
10 3.57000 $35.70
25 3.37520 $84.38
100 2.70000 $270.00
250 2.55000 $637.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFS3107TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $2.40000
  • Digi-Reel®  : IRFS3107TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 715 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Tubo  : IRFS3107PBF-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 18 - Inmediata
  • Precio unitario: $7.05000

IRFS3107TRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFS3107TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFS3107TRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 195 A (Tc) 370W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFS(L)3107PBF
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3mOhm a 140A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9370pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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