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IRFS3107TRLPBF Canal N Montaje en superficie 75V 195 A (Tc) 370 W (Tc) D2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFS3107TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFS3107TRLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 195 A (Tc) 370 W (Tc) D2PAK

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 140 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9370pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRFS3107TRLPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRFS3107TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 9,600 - Inmediata
  • Precio unitario: $3.48460
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  • Cantidad disponible: 1,900 - Inmediata
  • Precio unitario: $7.47000

23:12:35 11/12/2018