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IRFR9120NTRPBF Canal P Montaje en superficie 100V 6.6 A (Tc) 40W (Tc) D-Pak
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.73000 $0.73
10 0.64400 $6.44
25 0.60480 $15.12
100 0.43900 $43.90
250 0.42336 $105.84
500 0.36678 $183.39
1,000 0.31216 $312.16
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR9120NPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30000
  • Digi-Reel®  : IRFR9120NPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,154 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR9120NTRLPBF-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.29265

IRFR9120NTRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFR9120NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFR9120NTRPBF
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Descripción MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 6.6 A (Tc) 40W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF(R,U)9120NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Modelos de simulación IRFR9120NTRPBF Saber Model
Diseño/especificación de PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
Producto destacado Data Processing Systems
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Hoja de datos de HTML IRF(R,U)9120NPbF
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 480mOhm a 3.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NPBFCT