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IRFR9120NTRPBF Canal P Montaje en superficie 100V 6.6 A (Tc) 40W (Tc) D-Pak
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1 0.96000 $0.96
10 0.84500 $8.45
100 0.66040 $66.04
500 0.49948 $249.74
1,000 0.40753 $407.53
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR9120NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR9120NTRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 6.6 A (Tc) 40W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 480mOhm a 3.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
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15:35:56 4/20/2019