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IRFR9024NTRPBF Canal P Montaje en superficie 55V 11 A (Tc) 38 W (Tc) D-Pak
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1 1.08000 $1.08
10 0.96400 $9.64
100 0.77260 $77.26
500 0.61058 $305.29
1,000 0.49275 $492.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR9024NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR9024NTRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 55V 11 A (Tc) 38 W (Tc) D-Pak

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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IRFR9024NPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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06:56:21 12/16/2018