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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR5505PBFCT-ND
Cantidad disponible 82,388
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFR5505TRPBF

Descripción MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 55V 18 A (Tc) 57 W (Tc) D-Pak

Documentos y medios
Hojas de datos IRFR5505PbF, IRFU5505PbF
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Producto destacado Data Processing Systems
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Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Ensamble/origen de PCN Alternate Assembly Site 02/Apr/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 9.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRFR5505TRPBF
IRFR5505PBFCT

23:27:34 8/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.10000 $1.10
10 0.97500 $9.75
100 0.77080 $77.08
500 0.59776 $298.88
1,000 0.47191 $471.91

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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