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IRFR5505TRPBF Canal P Montaje en superficie 55V 18 A (Tc) 57 W (Tc) D-Pak
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1 1.16000 $1.16
10 1.03400 $10.34
100 0.82850 $82.85
500 0.65472 $327.36
1,000 0.52837 $528.37
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR5505PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR5505TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 55V 18 A (Tc) 57 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 9.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:52:31 1/18/2019