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IRFR5410TRPBF Canal P Montaje en superficie 100V 13 A (Tc) 66 W (Tc) D-Pak
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1 1.71000 $1.71
10 1.52500 $15.25
100 1.22220 $122.22
500 0.96590 $482.95
1,000 0.77950 $779.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR5410PBFCT-ND
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Cantidad disponible 12,877
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR5410TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 13 A (Tc) 66 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 205 mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 66 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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17:32:24 3/22/2019