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IRFR5410TRLPBF Canal P Montaje en superficie 100V 13 A (Tc) 66W (Tc) D-Pak
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1,395 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.26000 $1.26
10 1.12500 $11.25
25 1.06720 $26.68
100 0.80050 $80.05
500 0.67854 $339.27
1,000 0.55274 $552.74
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR5410PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.54854
  • Cinta cortada (CT)  : IRFR5410PBFCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,171 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.26000
  • Digi-Reel®  : IRFR5410PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,171 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR5410TRLPBF-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.54512
  • Digi-Reel®  : 448-IRFR5410TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,395 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR5410TRRPBF-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.54512

IRFR5410TRLPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 448-IRFR5410TRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFR5410TRLPBF
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Descripción MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 13 A (Tc) 66W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFR5410PbF, IRFU5410PbF
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 205mOhm a 7.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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$1.26000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
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