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IRFR2405TRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 56 A (Tc) 110W (Tc) D-Pak
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7,399 En Stock
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.12000 $1.12
10 1.00500 $10.05
25 0.95360 $23.84
100 0.71530 $71.53
500 0.60626 $303.13
1,000 0.49387 $493.87
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR2405PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 7,384 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.48706
  • Digi-Reel®  : IRFR2405PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,399 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFR2405TRLPBF-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.48706
  • Digi-Reel®  : 448-IRFR2405TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFR2405TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFR2405PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFR2405TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 56 A (Tc) 110W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFR2405PbF, IRFU2405PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRFR2405TRPBF Saber Model
Modelos de simulación IRFR2405TRPBF Spice Model
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
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Hoja de datos de HTML IRFR2405PbF, IRFU2405PbF
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 34A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2430pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRFR2405TRPBF
IRFR2405PBFCT