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IRFR13N20DTRPBF Canal N Montaje en superficie 200V 13 A (Tc) 110 W (Tc) D-Pak
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1 1.66000 $1.66
10 1.47800 $14.78
100 1.18420 $118.42
500 0.93584 $467.92
1,000 0.75525 $755.25
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR13N20DPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR13N20DTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 13 A (Tc) 110 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 235 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 830pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRFR13N20DPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.61369

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