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IRFR120NTRPBF Canal N Montaje en superficie 100V 9.4 A (Tc) 48 W (Tc) D-Pak
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10 0.79600 $7.96
100 0.62330 $62.33
500 0.47144 $235.72
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR120NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR120NTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 9.4 A (Tc) 48 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 210 mOhm a 5.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 330pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 48 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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