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IRFR1205TRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 44 A (Tc) 107W (Tc) D-Pak
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1 1.48000 $1.48
10 1.32100 $13.21
100 1.05870 $105.87
500 0.83672 $418.36
1,000 0.67526 $675.26
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR1205PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR1205TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 44 A (Tc) 107W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 44 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 107W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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IRFR1205PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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05:53:21 4/21/2019