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IRFR1018ETRPBF Canal N Montaje en superficie 60V 56 A (Tc) 110 W (Tc) D-Pak
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR1018ETRPBFCT-ND
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Cantidad disponible 50,696
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR1018ETRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 56 A (Tc) 110 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.4 mOhm a 47 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 69nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2290pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRFR1018ETRPBFCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.93000 $1.93
10 1.74400 $17.44
100 1.40160 $140.16
500 1.09014 $545.07
1,000 0.90325 $903.25

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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02:26:02 9/19/2018