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IRFP7537PBF Canal N Orificio pasante 60V 172 A (Tc) 230W (Tc) TO-247
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10 2.82900 $28.29
100 2.13970 $213.97
500 1.90192 $950.96
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IRFP7537PBF

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Fabricante

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Descripción MOSFET N CH 60V 172A TO247
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 172 A (Tc) 230W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFP7537PbF
Otros documentos relacionados IR Part Numbering System
Producto destacado 60 V StrongIRFET Power MOSFETs
Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015
Embalaje de PCN Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Modelos de simulación IRFP7537 Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 172 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7020pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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