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IRFP4668PBF Canal N Orificio pasante 200V 130 A (Tc) 520W (Tc) TO-247AC
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1 8.12000 $8.12
25 6.75440 $168.86
100 6.14660 $614.66
500 5.23494 $2,617.47
1,000 4.62719 $4,627.19
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP4668PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFP4668PBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 130 A (Tc) 520W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFP4668PBF
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Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Modelos de simulación IRFP4668PBF Spice Model
IRFP4668 Spice Model
IRFP4668PBF Saber Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.7mOhm a 81A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 241nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10720pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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