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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP4468PBF-ND
Cantidad disponible 3,766
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP4468PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 195 A (Tc) 520 W (Tc) TO-247AC

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 540nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19860pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 180 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SP001554960

21:45:33 2/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.75000 $7.75
10 6.97300 $69.73
100 5.73320 $573.32
500 4.80350 $2,401.75
1,000 4.18369 $4,183.69

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