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IRFP3415PBF Canal N Orificio pasante 150V 43 A (Tc) 200 W (Tc) TO-247AC
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1 3.36000 $3.36
10 3.03900 $30.39
100 2.44230 $244.23
500 1.89960 $949.80
1,000 1.57395 $1,573.95

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP3415PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFP3415PBF

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Descripción MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 43 A (Tc) 200 W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFP3415PbF
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Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 42 mOhm a 22 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 200nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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