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IRFP3206PBF Canal N Orificio pasante 60V 120 A (Tc) 280 W (Tc) TO-247AC
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP3206PBF-ND
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Cantidad disponible 11,127
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFP3206PBF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 120 A (Tc) 280 W (Tc) TO-247AC

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFP3206PBF
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer Source 01/Apr/2014
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6540pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 280 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres SP001578056
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.76000 $3.76
25 3.02440 $75.61
100 2.75540 $275.54
500 2.23124 $1,115.62
1,000 1.88177 $1,881.77

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18:16:55 9/18/2018