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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP260MPBF-ND
Cantidad disponible 552
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP260MPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 50 A (Tc) 300 W (Tc) TO-247AC

Documentos y medios
Hojas de datos IRFP260MPBF
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 28 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 234nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4057pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 400
Otros nombres SP001572874

21:33:07 7/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.30000 $3.30
10 2.97900 $29.79
100 2.39340 $239.34
500 1.86156 $930.78
1,000 1.54244 $1,542.44

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