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IRFP250NPBF Canal N Orificio pasante 200V 30 A (Tc) 214W (Tc) TO-247AC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.17000 $2.17
10 1.95100 $19.51
25 1.84080 $46.02
100 1.43580 $143.58
250 1.39896 $349.74
500 1.21490 $607.45
1,000 1.03082 $1,030.82
2,500 1.01610 $2,540.24
5,000 0.94246 $4,712.32
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IRFP250NPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFP250NPBF
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Descripción MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 30 A (Tc) 214W (Tc) TO-247AC

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 123nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2159pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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