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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFP250MPBF-ND
Cantidad disponible 1,870
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFP250MPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 30 A (Tc) 214 W (Tc) TO-247AC

Documentos y medios
Hojas de datos IRFP250MPBF
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Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 123nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2159pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 400
Otros nombres SP001566168

20:20:34 6/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.16000 $2.16
10 1.95200 $19.52
100 1.56880 $156.88
500 1.22018 $610.09
1,000 1.01101 $1,011.01

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