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IRFP064NPBF Canal N Orificio pasante 55V 110 A (Tc) 200W (Tc) TO-247AC
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.60000 $2.60
10 2.33200 $23.32
25 2.20000 $55.00
100 1.71600 $171.60
250 1.67200 $418.00
500 1.45200 $726.00
1,000 1.23200 $1,232.00
2,500 1.21440 $3,036.00
5,000 1.12640 $5,632.00
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IRFP064NPBF

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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 55V 110A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 55V 110 A (Tc) 200W (Tc) TO-247AC

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8mOhm a 59A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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