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IRFP054NPBF
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1 2.21000 $2.21
10 1.98800 $19.88
25 1.87520 $46.88
100 1.46250 $146.25
250 1.42500 $356.25
500 1.23750 $618.75
1,000 1.05000 $1,050.00
2,500 1.03500 $2,587.50
5,000 0.96000 $4,800.00

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IRFP054NPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFP054NPBF
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Descripción MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFP054NPbF
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Hoja de datos de HTML IRFP054NPbF
Modelos de simulación IRFP054N Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Granel 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 81 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12mOhm a 43A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 25
Otros nombres *IRFP054NPBF
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