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IRFL4310TRPBF Canal N Montaje en superficie 100V 1.6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223
Precio y compra
8,565 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.66000 $0.66
10 0.58200 $5.82
25 0.54640 $13.66
100 0.39670 $39.67
250 0.38256 $95.64
500 0.33144 $165.72
1,000 0.28208 $282.08
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFL4310TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.26445
  • Digi-Reel®  : IRFL4310TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,565 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFL4310TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFL4310TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFL4310TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 1.6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFL4310PbF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200mOhm a 1.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 330pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRFL4310TRPBFCT