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IRFI540NPBF Canal N Orificio pasante 100V 20 A (Tc) 54 W (Tc) TO-220AB, paquete completo
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.76000 $1.76
10 1.57500 $15.75
100 1.26220 $126.22
500 0.99750 $498.75
1,000 0.80501 $805.01
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFI540NPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFI540NPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 20 A (Tc) 54 W (Tc) TO-220AB, paquete completo

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima Estado de la tarifa arancelaria
FDPF3860T-ND FDPF3860T ON Semiconductor Tubo ? 1,688 - Inmediata
$1.24000 1 Tarifa arancelaria aplicada ?
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 52 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 94nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 54 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB, paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,000
Otros nombres *IRFI540NPBF
SP001566066

06:03:31 12/10/2018