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IRFI4227PBF Canal N Orificio pasante 200V 26 A (Tc) 46 W (Tc) TO-220AB, paquete completo
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.30000 $3.30
10 3.00500 $30.05
100 2.44860 $244.86
500 1.94328 $971.64
1,000 1.64006 $1,640.06
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFI4227PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFI4227PBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 26 A (Tc) 46 W (Tc) TO-220AB, paquete completo

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25 mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 46 W (Tc)
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB, paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,000
Otros nombres SP001564096

12:50:54 3/18/2019