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IRFI4227PBF Canal N Orificio pasante 200V 26 A (Tc) 46W (Tc) TO-220AB, paquete completo
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.71000 $2.71
10 2.43500 $24.35
25 2.29720 $57.43
100 1.79170 $179.17
250 1.74572 $436.43
500 1.51602 $758.01
1,000 1.28632 $1,286.32
2,500 1.26794 $3,169.86
5,000 1.17606 $5,880.32
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IRFI4227PBF

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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 26 A (Tc) 46W (Tc) TO-220AB, paquete completo

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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 46W (Tc)
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB, paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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