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IRFB7787PBF Canal N Orificio pasante 75V 76 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220AB
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1 1.66000 $1.66
10 1.46600 $14.66
100 1.15890 $115.89
500 0.89870 $449.35
1,000 0.70950 $709.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB7787PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB7787PBF

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Descripción MOSFET N-CH 75V 83A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 76 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B,S,SL)7787PbF
Otros documentos relacionados IR Part Numbering System
Producto destacado IR - StrongIRFET™ Through-hole Power MOSFETs
Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Modelos de simulación IRFB_S_SL7787PBF Spice Model
IRFB7787PBF Saber Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.4 mOhm a 46 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 109nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4020pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001570798

03:06:34 10/23/2018