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IRFB7730PBF Canal N Orificio pasante 75V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB
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1 3.51000 $3.51
10 3.16000 $31.60
100 2.62840 $262.84
500 2.16722 $1,083.61
1,000 1.85975 $1,859.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB7730PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB7730PBF

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Descripción MOSFET N-CH 75V 195A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 407nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13660pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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