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IRFB7530PBF Canal N Orificio pasante 60V 195 A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.65000 $2.65
10 2.38000 $23.80
25 2.25000 $56.25
100 1.80000 $180.00
250 1.70000 $425.00
500 1.60000 $800.00
1,000 1.37000 $1,370.00
2,500 1.35000 $3,375.00
5,000 1.23000 $6,150.00
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IRFB7530PBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 195 A (Tc) 375W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B,S,SL)7530PbF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 411nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13703pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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