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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB7430PBF-ND
Cantidad disponible 800
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB7430PBF

Descripción MOSFET N CH 40V 195A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 195 A (Tc) 375 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 460nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14240pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001551786

16:12:22 2/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.77000 $3.77
10 3.36900 $33.69
100 2.76280 $276.28
500 2.23722 $1,118.61
1,000 1.88681 $1,886.81

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