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IRFB59N10DPBF Canal N Orificio pasante 100V 59 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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1 2.49000 $2.49
10 2.25200 $22.52
100 1.81000 $181.00
500 1.40776 $703.88
1,000 1.16642 $1,166.42

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB59N10DPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB59N10DPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 59 A (Tc) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 59 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 25 mOhm a 35.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 114nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2450pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB59N10DPBF
SP001560232

13:37:10 12/15/2018