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IRFB52N15DPBF Canal N Orificio pasante 150V 51 A (Tc) 3.8 W (Ta), 230 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.20000 $3.20
10 2.85700 $28.57
100 2.34250 $234.25
500 1.89684 $948.42
1,000 1.59975 $1,599.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB52N15DPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB52N15DPBF

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Descripción MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 51 A (Tc) 3.8 W (Ta), 230 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 51 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 36 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 89nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2770pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 230 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB52N15DPBF
SP001572332

13:35:53 12/18/2018