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IRFB4710PBF Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.66000 $2.66
10 2.38500 $23.85
25 2.25000 $56.25
100 1.75500 $175.50
250 1.71000 $427.50
500 1.48500 $742.50
1,000 1.26000 $1,260.00
2,500 1.24200 $3,105.00
5,000 1.15200 $5,760.00
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IRFB4710PBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF
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Modelos de simulación IRFB4710PBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6160pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Otros nombres *IRFB4710PBF
SP001556118