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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4510PBF-ND
Cantidad disponible 1,083
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4510PBF

Descripción MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 62 A (Tc) 140 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.5 mOhm a 37 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3180pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001566724

13:13:00 6/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.46000 $1.46
10 1.29200 $12.92
100 1.02130 $102.13
500 0.79206 $396.03
1,000 0.62531 $625.31

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