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IRFB4510PBF Canal N Orificio pasante 100V 62 A (Tc) 140 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 $1.40
10 1.23600 $12.36
100 0.97690 $97.69
500 0.75762 $378.81
1,000 0.59813 $598.13
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4510PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB4510PBF

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Descripción MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 62 A (Tc) 140 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.5 mOhm a 37 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3180pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 140 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
FDPF045N10A-ND FDPF045N10A ON Semiconductor Tubo ? 1,015 - Inmediata
$4.00000 1
Por lo general se compran juntos
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