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IRFB4310PBF Canal N Orificio pasante 100V 130 A (Tc) 300 W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.47000 $3.47
50 2.83140 $141.57
100 2.59780 $259.78
500 2.14200 $1,071.00
1,000 1.83813 $1,838.13
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4310PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB4310PBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 130 A (Tc) 300 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7670pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB4310PBF
SP001566592

13:02:24 11/13/2018