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IRFB4310PBF
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.82000 $2.82
10 2.52900 $25.29
25 2.39080 $59.77
100 1.91250 $191.25
250 1.80624 $451.56
500 1.70000 $850.00
1,000 1.45563 $1,455.63
2,500 1.43438 $3,585.94
5,000 1.30688 $6,534.38
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IRFB4310PBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFB4310PBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFB4310PBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF
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Modelos de simulación IRFB4310PBF Saber Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7670pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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