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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB4227PBF-ND
Cantidad disponible 2,528
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB4227PBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 65 A (Tc) 330 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 98nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 46 A, 10 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001565892

03:10:43 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.95000 $2.95
10 2.66100 $26.61
100 2.13840 $213.84
500 1.66320 $831.60
1,000 1.37808 $1,378.08

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