Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB41N15DPBF-ND
Cantidad disponible 147
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB41N15DPBF

Descripción MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 150V 41 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 41 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2520pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB41N15DPBF
SP001575564

12:43:57 6/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.67000 $2.67
10 2.41500 $24.15
100 1.94060 $194.06
500 1.50938 $754.69
1,000 1.25063 $1,250.63

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario