Agregar a favoritos
IRFB38N20DPBF Canal N Orificio pasante 200V 43 A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.34000 $2.34
10 2.11800 $21.18
100 1.70160 $170.16
500 1.32344 $661.72
1,000 1.09656 $1,096.56

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB38N20DPBF-ND
Copiar   IRFB38N20DPBF-ND
Cantidad disponible 1,619
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IRFB38N20DPBF

Copiar   IRFB38N20DPBF
Descripción MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Copiar   MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 43 A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) TO-220AB

Copiar   Canal N Orificio pasante 200V 43 A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) TO-220AB
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 54mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 91nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • IRFB31N20DPBF - Infineon Technologies | IRFB31N20DPBF-ND DigiKey Electronics
  • IRFB31N20DPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
  • Precio unitario $2.40000
  • IRFB31N20DPBF-ND
  • IR2110STRPBF - Infineon Technologies | IR2110SPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IR2110STRPBF
  • Infineon Technologies
  • IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
  • Precio unitario $2.81000
  • IR2110SPBFCT-ND
  • FDP52N20 - ON Semiconductor | FDP52N20-ND DigiKey Electronics
  • FDP52N20
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
  • Precio unitario $2.69000
  • FDP52N20-ND
  • SUP90142E-GE3 - Vishay Siliconix | SUP90142E-GE3-ND DigiKey Electronics
  • SUP90142E-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
  • Precio unitario $3.62000
  • SUP90142E-GE3-ND
  • IRF9530NPBF - Infineon Technologies | IRF9530NPBF-ND DigiKey Electronics
  • IRF9530NPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
  • Precio unitario $1.15000
  • IRF9530NPBF-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB38N20DPBF
SP001556010

06:12:26 5/26/2019