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IRFB3306PBF Canal N Orificio pasante 60V 120 A (Tc) 230W (Tc) TO-220AB
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.63000 $1.63
10 1.46100 $14.61
25 1.37840 $34.46
100 1.07500 $107.50
250 1.04748 $261.87
500 0.90964 $454.82
1,000 0.77182 $771.82
2,500 0.76080 $1,901.99
5,000 0.70566 $3,528.32
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IRFB3306PBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFB3306PBF
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Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 120 A (Tc) 230W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF(B,S,SL)3306PbF
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Barcode Label Update 24/Feb/2017
Modelos de simulación IRFB3306PBF Saber Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4520pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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