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IRFB31N20DPBF Canal N Orificio pasante 200V 31 A (Tc) 3.1 W (Ta), 200 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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10 2.16800 $21.68
100 1.74190 $174.19
500 1.35482 $677.41
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB31N20DPBF-ND
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Número de pieza del fabricante

IRFB31N20DPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 31 A (Tc) 3.1 W (Ta), 200 W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 82 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 107nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2370pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
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SP001560192

17:19:34 12/11/2018